Si3N4 সাবস্ট্র্যাটগুলি OBC ডিজাইনগুলিকে বাড়িয়ে তোলে, 3C দ্রুত চার্জিংয়ের সাথে কম ডাইলেক্ট্রিক ক্ষতির সংমিশ্রণ করে
2026-01-12
অন-বোর্ড চার্জার (ওবিসি)গুলি উচ্চতর পাওয়ার ঘনত্ব এবং উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সির দিকে যাচ্ছে, সেই সাথে 3C ফাস্ট চার্জিংয়ের কঠোর দক্ষতা এবং আকারের চাহিদা পূরণ করছে।
Si₃N₄ সাবস্ট্রেটগুলির প্রায় 7.5 ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক এবং কম ডাইইলেকট্রিক ক্ষতি রয়েছে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পর্যায়ে সংকেত বিলম্ব এবং শক্তি হ্রাস করে। ভাল তাপীয় এবং যান্ত্রিক পারফরম্যান্সের সাথে মিলিত হয়ে, এগুলি 3C ফাস্ট চার্জিংয়ের সময় ওবিসি তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণে রাখতে সাহায্য করে এবং প্যাকেজের নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখে।
এটি ওএমগুলিকে সীমিত আন্ডার-হুড স্পেসে উচ্চ-ক্ষমতার ওবিসি একত্রিত করতে এবং “বৃহত্তর আকার বা হ্রাসকৃত জীবনকাল ছাড়াই দ্রুত চার্জিং” অর্জন করতে সক্ষম করে।
যেসব ব্র্যান্ড ফাস্ট-চার্জিং অভিজ্ঞতাকে একটি মূল বিক্রয় পয়েন্ট হিসাবে বিবেচনা করে, তাদের জন্য Si₃N₄ সাবস্ট্রেটগুলিকে ঐচ্ছিক অ্যাড-অন-এর পরিবর্তে একটি মৌলিক প্ল্যাটফর্ম উপাদান হিসাবে বিবেচনা করা একটি টেকসই প্রযুক্তিগত সুবিধা অর্জনে সহায়তা করে।