তাপ অপচয় সমস্যা সমাধান — IGBT মডিউলগুলির জন্য উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সম্পন্ন সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট
2025-11-12
আধুনিক বৈদ্যুতিক যানবাহন, রেলওয়ে ট্র্যাকশন এবং শিল্প ড্রাইভে, IGBT পাওয়ার মডিউলগুলি প্রায়শই অতিরিক্ত গরম, ডিল্যামিনেশন এবং উচ্চ তাপীয় লোডের কারণে ক্লান্তিজনিত সমস্যার শিকার হয়। প্রচলিত অ্যালুমিনা বা অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রেড স্তরগুলি তাপ পরিবাহিতা এবং যান্ত্রিক দৃঢ়তার মধ্যে ভারসাম্য বজায় রাখতে পারে না, যার ফলে পরিষেবা জীবন হ্রাস পায়।
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সম্পন্ন সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক স্তর 90–100 W/m·K তাপ পরিবাহিতা, 600 MPa-এর বেশি নমনীয় শক্তি এবং 2.8–3.2×10⁻⁶/K তাপ প্রসারণ সহ একটি সর্বোত্তম সমাধান প্রদান করে, যা তাপীয় চাপ কমাতে সিলিকন চিপগুলির সাথে পুরোপুরি মিলে যায়।
এটি চমৎকার বৈদ্যুতিক নিরোধক (>20 kV/mm) এবং কম ডাইইলেকট্রিক ক্ষতিও প্রদান করে (<0.001), যা উচ্চ ভোল্টেজ এবং ফ্রিকোয়েন্সিতে নিরাপদ অপারেশন নিশ্চিত করে। DBC বা AMB ধাতুকরণ গ্রহণ করে, Si₃N₄ স্তরগুলি তামার সাথে দক্ষ বন্ধন অর্জন করে, তাপ অপচয় এবং নির্ভরযোগ্যতা অপ্টিমাইজ করে।
IGBT এবং SiC পাওয়ার মডিউলগুলিতে, এই স্তরটি সংযোগের তাপমাত্রা 15–20°C কমিয়ে দেয় এবং মডিউলের জীবনকাল 3 গুণ পর্যন্ত বাড়িয়ে তোলে, যা এটিকে EV পাওয়ার ইনভার্টার, উচ্চ-গতির ট্রেন, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি রূপান্তরকারী এবং স্মার্ট গ্রিডের জন্য একটি পছন্দের পছন্দ করে তোলে।
Si₃N₄ সিরামিকগুলি পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স প্যাকেজিং উপাদানগুলির প্রতিনিধিত্ব করে, যা চরম তাপীয় চক্রের অধীনে উচ্চতর কর্মক্ষমতা, স্থায়িত্ব এবং শক্তি দক্ষতা সরবরাহ করে।